图11.23所示是实验装置的原理图。半导体激光器发出的光，经扩束、 AAT3520IGY-2.93准直后经过起偏器Pl成为线偏振光，然后由偏振分光镜PBS分成两路，透射光经过艄波片成为圆偏振光，经过法拉第磁光元件( PRG)从被测导体表面反射回来后再一次经过彳／4波片，成为偏振方向相对透射光旋转了90。的线偏振光。该偏振光在偏振分光镜处产生反射，经检偏器P2和透镜组被CCD图像传感器接收，缺陷的图像由计算机显示和处理。实验装置中的法拉第晶体安装在激励线圈内以提高效率，为了能对被测导体内感应涡流的磁场更敏感，法拉第晶体应该无限接近（理论上）被测导体。该装置的核心部件一是磁光元件，二是适当的光学成像系统，以完成对缺陷的成像。

   新型磁光涡流成像检测装置综合利用法拉第磁光效应和电涡流效应，将缺陷引起的磁场变化转化为激光偏振光偏振面的变化，经过检偏器后再转换为光的强度变化，从而产生了“明”或“暗”的缺陷图形。并且用激光磁光传感元件取代了测量线圈，简化了传统涡流检测中的信号处理问题，实现了对亚表面细小缺陷的可视化无损检测。

   磁光涡流成像检测的深度主要驭决于涡流的渗透深度（与矩形脉冲信号频率有关），检测（成像扫描）面积的大小取决于激光光斑的直径大小。该检测技术特别适用于被检面积大（如飞机机身铝组件及钢和钛合金铝结构）的表层及亚表层缺陷（如腐蚀靠近铆钉处的疲劳裂纹）检测，可实现微纳米级的精度测量。