反向击穿电压VR: LED正常工作时，两端所EP1C6T144C6N允许的最大反向电压。对LED所加反向电压超过此值时，LED将被反向击穿，一般大功率LED的反向击穿电压VR为几伏。与其相关的极限值称为最大反向电压VRm，超越VRm会引起反向电流大幅增加。

   与普通二极管类似，测试LED的反向击穿电压VR，当电压高于这一电压时，反偏电流会大幅增加，但反向电压变化不大，这一参数的技术指标通常是一个最小值。测试时在一段特定时间内提供一个较低的反偏电流，同时测量LED两端的电压降。测量结果通常在几伏到几十伏的量级。

   反向漏电流h：加在LED两端的反向电压为一定值时，流过LED的电流代表了LED芯片在反向电压偏置下产生的漏电流。

   当反向电压低于击穿电压时，LED中有小电流泄漏，可测试、检验LED的漏电流凡。测斌时加载特定的反向电压，经过一定的时间后测量流过LED的相应电流。测试过程要检验测得的漏电流是否低于一定的阈值。这些电流的测量结果通常在纳安到毫安的量级。