对于结型光电器件，由于载流子在PN结区内的扩散、漂移、产生与复合都要有一定的时间，GL1117A-3.3所以当光照度变化很快时，光电流就滞后于光照变化。对于矩形脉冲光照，可用光电流上升时间常数tr和下降时间常数tf来表征光电流滞后于光照的程度，国内生产的几种2CR型硅光电池的时间响应如表5.1所示，由表看出：①要得到短的响应时间，必须选用小的负载电阻RL；②光电池面积越大则响应时间越大，因为光电池面越大别结电容Cj越大，在给定负载RL时，时间常数f=RLCj就越大，故若要求响应时间短，则须选用小面积光电池。

   表5.1  国内生产的几种2CR型硅光电池的时间响应

   若光电池接收正弦型光照时常用频率特性曲线表示，如图5.13 (a)示出的硅光电池的频率特性曲线，由图可见，负载大时频率特性变差，减小负载可减小时间常数f，提高频响，但是负载电阻R的减小会使输出电压降低，实际使用时视具体要求而定。

   总的来说，由于硅光电池光敏面积大，结电容大，频响较低，为了提高频响，光电池可在光电导模式下使用，例如，只要加l～2 V的反向偏置电压，则响应时间就会从，1 Lrs下降到几百纳秒。