图4.18 (a)所示是一个最简单的光敏电阻偏置电路，岛为光敏电阻，RL为负载电阻，乩为外加偏置电压，U为光敏电阻两端电压，， K4T1G164QE-HCE6为流过光敏电阻RP的电流。在一定范围内光敏电阻阻值琊不随外电压阮改变，仅取决于输入光通量西或光照度E，Gd为暗电导，GP为光电导。若忽略暗电导，则G= GP，并且G= G=SgE或G=Sg@。

   图4.18光敏电阻偏置电路及伏安特性

   图4.18 (c)所示是光敏电阻的伏安特性曲线，是一组以输入光通量为参量的、通过原点的直线组。若流过光敏电阻RP的电流为，，则光敏电阻的耗散功率P=IU，为了不使光敏电阻琊在任何光照下因过热而烧坏，要求光敏电阻的卖际功率P≤Pmax (Pmax可由产品手册查出)。根据/U≤Pmax或，≤Pmax /U，可画出极限功耗曲线[图4.18 (c)中的点画线]。

   图4.18 (a)所示是一个线性电路，建立负载线就可以确立对应于输入光通量变化的负载电阻上的输出信号。同时，根据图4.18 (a)可得出电流丘及负载电压UL，当负载凡与外加电压%确定后，可画出负载线，再根据不同的光照岛、奶、呜可画出不同光照下光敏电阻的伏安特性曲线，如图4.18(c)所示。显然，当光通量在口1和函3之间变化时，工作点Q在A、B之间发生变化，流过光敏电的电流和两端的电压都改变。设光通量变化时，通过光敏电驵的变化欲P引起电流的变化。