典型低压变频器主电路，如图4-11所示，由二极管模块组成三相桥式整流，即AC/DC电路，EPM7256BQC208-5滤波电路为电容器C，及C：，制动电路由绝缘栅双极型晶体管V及电阻R。和二极管VD组成，三相桥式逆变器IGBT模块组成为DC/AC逆变器。

   图4-11典型低压变频器主电路

   大功率管V采用GTR或IGBT均可，其主要性能参数选择如下：

   1)击穿电压：UCEO=1000V印可；

   2)集电极最大电流：按正常电压下，流经RB的流/CM≥2×UD/R；

   3)其他参数：放大倍数，开关时间等均无严格要求。

   大功率管GTR的驱动电路如图4-12所示，在图4-12所示的驱动电路中，VDs~VD8上的电压降为GTR提供反向偏置。工作过程是，当光耦合器VLC得到信号而导通时，V，导通且饱和，V。随即导通，V，截止，使GTR导通，即有制动电流流经R。。当VLC失去信号而截止时，V，截止，随即V：截止，V，导通，CTR因反向偏置而截止。这样多次反复将电能变热能，消耗在制动电阻RB上。