可编程只读存储器：可编程IR3084UMTRPBF只渎存储器( PROM)代表可编程的只读存储器，PROM同PAI,的存储功能相当，每一个记忆单元通过一个熔丝连接到电路中。用户按电路要求，通过熔断那些不需要的存储单元位置的熔丝把信息编程到PROM电路中。编程后，PROM就变成1r ROM，信息永久地被编码在芯片里，它就变成只读存储器了。

   可擦除可编程只读存储器：为适应某些方面的应用，需要方便快捷地改变ROM内的存储数据而不是更换整个芯片。可擦除町编程只读存储器( EPROM)芯片就是为此被设计出来的、町擦除的特征是基于MMOS（存储器MOS）应用基础上的，MMOS晶体管在第16章有过详细介绍。这些晶体管可以有选择地充电（或被编程），它们可以用非易失性方式长时间保持电荷，编程使用热电子注射的机理，当需要编程时，芯片通过照射紫外线使晶体管中的电荷逐渐泄放掉从而擦除记忆．，1日的编程被去除，用外部编程器输入新的存储信息。一个典型的EPROM町以被编程10次以上。

   屯可擦除编程只读存储器：使存储器设计更为便利的下一个等级就是在芯片插入机器时的编程和重新编程的能力。这种便捷得益于电可擦除编程只读存储器（EEPROM或E2 PROM），它表示利用电可擦除的( electronically erasable) PROM，编程和擦除是利用外加脉冲，把电荷置于选择的存储单元或使电荷泄放掉，编程过程与EPROM所用的是同一热电子注射机理。，电荷通过一个称为福勒一诺德海姆( Fowler-Nordheim)隧道的机理从存储器单元抽出来。，这是以更大的存储单元面积和更小的芯片密度为代价的。