直到20世纪70年代中期，硅栅MOS器件的出现（见图12. 37）， HCPL-0723多晶硅才在器件结构中得以应用。硅一栅器件技术加速了淀积多晶硅薄膜的可靠工艺的需求。到20世纪80年代，多晶硅似乎成r先进器件材料的主力军。除了MOS栅之外，多晶硅还用在SRAM器件中的负载电阻、沟槽填充；EEPROM中的多层聚合物、接触阻隔层；双极型器件的发射极和硅化物金属配置中的一部分（见第13章和第16章）。

   早期的T艺仅涉及将覆盖有氧化物的晶圆放在水平式APCVD系统中，并在氧化物上淀积多晶硅。多晶硅的淀积和外延淀积的主要区别是硅烷( Silane)的使用，、硅烷没有受到外延膜淀积的青睐，而在多晶硅淀积中得到r广泛的应用。

   典型的多晶硅淀积工艺的温度在600℃~ 650℃范围，，淀积可能来自100%的硅烷或含有N：或H：的气体。多晶硅的结构在前面描述过，如硅原子在整体上的无序排列。在淀积多晶硅时，结构有些不同。在淀积的起始阶段，温度在575℃下，结构是非晶态的。淀积工艺形成的多晶结构由单晶硅的小核（晶体或晶核）组成。单晶硅被晶核的边界分隔。这种结构称为柱形多晶( columnar  poly)。