在离子注入过程中，由于入射离子的碰撞，晶圆晶体结构受到损伤。有3种类型的损伤： AD7548BQ晶格损伤、损伤群簇、空位一间隙[17]。．晶格损伤发生在入射离子与原物质原子发生碰撞，并取代原物质原子的晶格位置时。损伤群簇发生在被替位的本物质原子继续替代其他本物质原子的位置，产生成簇的被替位的原子时。离子注入产生的常见缺陷是空位一间隙。当原物质原子被入射离子撞击出本来位置，停留在非晶格位置时，将产生这种缺陷（见图11. 32）。

   像硼这样的轻原子产生很少量的替位原子。像磷和砷这样较重的原子产生大量的替位原子。随着轰击的延续，错位密集区域可能变为无定型（非晶态）结构。除去    宅位离子注入造成的结构损伤外，还有电学上的影响。由于离子轨迹注入的离子没有占据晶格位置，所以受损区域没有所需的电特性。