扩散工艺掺杂后的晶圆中杂质的检查，显示了掺杂区和结的形成。初始时的情况显示在图11.3中。ADS7881IPFBT显示的晶圆来自P型晶体。图中的“+”号代表单晶生长过程中引进的P型杂质。它们均匀地分布在整片晶圆中。

   晶圆经过热氧化及图形化工艺后，氧化层上面会留出孔洞。在扩散炉管里，晶圆在高温条件下暴露于一定浓度的N型杂质中（见图11.4中的“一”号）。N型杂质透过氧化层上的孔洞扩散到晶圆内部。

   图11,3准备扩散的P型晶圆    图11.4扩散工艺的开始

   对晶圆不同深度处发生的变化的检查结果说明了掺杂在晶圆内部引起的变化。扩散炉管中的条件设置使得扩散到晶圆内部的N型杂质原子数量高于第一层中P型原子的数量。在此演示中，N型原子比P型原子多7个，从而使其从P型转换为N型导电层。