自对准结构
发布时间:2015/11/4 22:17:22 访问次数:807
过刻蚀会使两个结构的距离比预想的近。而工芝制成中，不可避免地存在过刻蚀，ADS7869IPZTR所以各个结构的对准变得至关重要，、一种解决办法就是自对准结构( self-aligned structure)，比如MOS器件的栅极（见第16章）。定义栅极的同时也定义了源极或漏极（见图10. 39）。打开源、漏区域是简单的刻蚀去除氧化物的过程，源或漏区域薄的氧化层保证r栅极上的氧化层不会被刻蚀光。接下来的离子注入将离子注入在栅极附近源区或漏区。使用不同的氧
化层厚度和浸没式刻蚀的这种基本技术可以定义或刻蚀其他结构。该设计使用栅极作为注入阻挡层。
过刻蚀会使两个结构的距离比预想的近。而工芝制成中，不可避免地存在过刻蚀，ADS7869IPZTR所以各个结构的对准变得至关重要，、一种解决办法就是自对准结构( self-aligned structure)，比如MOS器件的栅极（见第16章）。定义栅极的同时也定义了源极或漏极（见图10. 39）。打开源、漏区域是简单的刻蚀去除氧化物的过程，源或漏区域薄的氧化层保证r栅极上的氧化层不会被刻蚀光。接下来的离子注入将离子注入在栅极附近源区或漏区。使用不同的氧
化层厚度和浸没式刻蚀的这种基本技术可以定义或刻蚀其他结构。该设计使用栅极作为注入阻挡层。
相关技术资料- 11-4自对准结构
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