电路通过图形密度的增加和工艺层数的增加升级到了超大规模集成电路( VLSI)的水平。NCP305LSQ33T1随着各种各样的工艺层被刻蚀成图形，晶圆表面变得高低不平这些高低不平的平面各自具有不同的反射性质（见图10. 24）。在这样的表面条件下，使用简单的单层光刻胶LZ想达到哑微米图形的分辨率几乎是不可能的。一个问题就是景深问题。，景深有限的镜头不能使高平面和低平面的图形同时得到很好的曝光。另一个就是在台阶处由光反射造成的金属图形掣¨1（见图10. 25）。在表面形貌复杂的晶圆上，日前有许多平坦化技术被使用。这些技术包括多层光刻胶工艺、工艺层平坦化、入射的射线回流技术，及化学机械抛光。目前最受关注的是表面全局平坦化( CMP)，通过它使用单层光刻胶便可以得到理想的图形。然而，已描述的多层光刻胶工艺在这个工艺转变的时期还是很有用的.