第一个掩模版的对准是把掩模版上的y轴与晶圆上的主定位边成900角放置（见图8. 42）。EL6238CLZ接下来的掩膜都用对准标记（又称“靶”）与上一层带有图形的掩膜对准。这是一些特殊的图形（见图8. 43）。它们分布在每个芯片囹形的边缘或在晶圆上的每个芯片周围的划片线上，很容易找到。

   对准由操作员把掩模版上的标记放在晶圆图形上相应的标记上来完成。对于自动系统见8. 11.4节的步进式光刻机），对准标记也起着相同的作用。经过刻蚀工艺后，对准标记就永远成为r芯片表面的一部分。于是它们就可以在下一层对准时使用了。

    图8.42光刻胶七图形衍射缩小    图8.43对准标记种类

   被称为未对准（misalignment）的对准错误分为几种不同类型（见图8.44）。常见的一种就是简单的x-y方向位置错误。另一种常见的未对准是转动的，也就是说，晶圆的一边是对准的，然而在通过晶圆的方向上，图形会逐渐变得不对准。如果芯片图形在掩模版上有旋转，第3个转动的未对准就会产生。算( overlay budget)，它是整套掩膜允许对准误差的累    图8.44未对准种类。(a)戈方加（见图8.2）。对于0.35¨m的产品，允许的套准预    向；(b)转动；(c)伸出算大约是0.1 .