从表中的数据可以看出晶圆电测良品率是3个良品率点中最低的，这就是 K4D263238I-VC50为什么会有许多致力于提高晶圆电测良品率的计划。有一段时间晶圆电测良品率的提升对生产率的提高产生最大的影响。更大和更复杂的芯片（如兆位级的存储器）的出现使得如设备持有成本（见第15章）等其他因素被加入到提高生产率的范畴。百万级芯片时代要求的成功是晶圆电测良品率需要在90%昀范围9。

  学习完本章后，你应该能够：

  1．指出3个工艺良品率的主要测量点。

   2．解释晶圆直径、芯片尺寸、芯片密度、边缘芯片数量和制程缺陷密度对晶圆电测良品率的影响。

   3．通过单步工艺制程良品率来计算出累积晶圆生产良品率。

   4．解释及汁算整体工艺良品率。

   5．对影响制造良品率的4个主要方面做出解释。

   6．建立良品率相对时间的曲线来反映不同工艺和电路的成熟程度。

   7．解释高水平工艺良品率和器件可靠性之间的联系。