图形化I：艺( pattcjming)是通过一系列牛产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的在此之后， SN74HC14N占由嘲表面会留F带有微图形( pattern)结构的薄膜  被除去部分的叮能肜状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分.

   图形化1：艺电称为大家熟知的光掩模‘photomasking’：芒掩模( fna.Sking)、光刻(phc)t(，lithography)或微光刻(mi(1rolilrtht，graphy)  在晶嘲的制造过程中，晶体i极管一二极管隆4.8 电容器、电阻器和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表

』z；内构成这些部件足每次在一个掩膜层f：乍成的，并fIl结合牛成薄膜及去除特定部分，通过l割形化l：艺过程，最终在晶圆1-保留特征网形的部分，光刻qi产的目标是根据电路设汁的要求，叶i成尺,f精确的特征图形，日在晶圆表面的位置要正确，而凡与其他层的关联.

   H形化I：艺足所自4个基本I：艺中最关键的。，图形化L_艺确定r器件的关键尺寸  图形化1．艺过程中的错误町能造成图形歪曲或套准不好．最终町转化为对器件的电特性产乍影响图形的错位也会导致类似的不良结果图形化I：艺中的另一个问题是缺陷，图形化r：艺是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成的。在制程中的污染物会造成缺陷  事。实Ij由于图形化『：艺在现代晶圆牛产过程中要完成30层或更多，所以污染问题将会放大.