液体掩盖直拉法
发布时间:2015/10/24 19:12:28 访问次数:1041
液体掩盖直拉法( LEC) j5用来生长砷化镓晶体。实质上它和标准的直拉法(CZ)一样， MC9S12DJ128BCFU但为砷化镓做了重要改进。由于熔融物里砷的挥发性，改进是必需的。j在晶体生长的温度条件下，镓和砷起反应，砷会挥发出来造成不均匀的晶体。
对这个问题有两种解决办法。一个是给单晶炉加压来抑制砷的挥发，另一个是液体掩盖直拉法工艺(见图3. 12)。液体掩盖直拉法使用一层氧化硼(B2 01)漂浮在熔融物上面来抑制砷的挥发。在这种方法中，单晶炉里需要大约一个大气压。
液体掩盖直拉法( LEC) j5用来生长砷化镓晶体。实质上它和标准的直拉法(CZ)一样， MC9S12DJ128BCFU但为砷化镓做了重要改进。由于熔融物里砷的挥发性，改进是必需的。j在晶体生长的温度条件下，镓和砷起反应，砷会挥发出来造成不均匀的晶体。
对这个问题有两种解决办法。一个是给单晶炉加压来抑制砷的挥发，另一个是液体掩盖直拉法工艺(见图3. 12)。液体掩盖直拉法使用一层氧化硼(B2 01)漂浮在熔融物上面来抑制砷的挥发。在这种方法中，单晶炉里需要大约一个大气压。
相关技术资料- 10-24液体掩盖直拉法
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