绝缘门极双极晶体管简称IGBT，将MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有输入阻抗高、速度快、R27V1652D热稳定性好和驱动电路简单的特点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大等优点，因此发展很快，备受青睐。在电动机控制、中频和开关电源以及要求快速、低损耗的领域，IGBT有取代功率MOSFET和GTR的趋势。

   IGBT的开通和关断是由门极电压来控制的。门极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。在门极上施以负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即为关断。

   图8-7为绝缘门极双极晶体管IGBT的IXGH25N100屯路符号和外形。

   IGBT的非在路检测用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的C-E极间正向压降约为0.5V，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大，如图8-8所示。如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际工作中IGBT管多为击穿损坏。