器件处于非工作状态时，OPA2336UA/2K5一般辐射损伤较小，特别是在核辐射环境下更是如此。因此，可在电子系绕中设计一套核敏感自动控制系统，使得在核爆炸的瞬间，该系统或系统中的薄弱部分暂停工作，即“躲避”起来，待爆炸后再重新工作，从而起到保护系统的作用。

   不同厂家生产的同种器件，甚至同一厂家生产的同种器件，抗辐射能力往往存在着明显的差别，特别是线性集成电路，抗辐射性能的离散性有时可达2～3个数量级。采用辐射预筛选可以从一批器件中挑选出抗辐射性能好的器件，淘汰抗辐射性能差的器件。具体方法是对一批器件进行小剂量的中子或7射线辐射，经测试筛去参数变化大的器件，变化小的器件经过退火处理，使之恢复到退火前的性能，之后便可投入使用。

   采用辐射预筛选方法时，要获得较好的效果，需注意以下问题。

   1)选择的测量参数应属于辐射敏感参数。如对双极型晶体管，应选择电流放大系数和饱和压降；对MOS晶体管，应选择阈值电压。

   2)选择合适的辐射源。辐射源可以采用中子、7射线或高能电子源。中子辐射后的器件在室温或较低温度下退火效果较弱，需采用较高的退火温度，故适合于在芯片阶段进行辐射预筛选。7射线穿透物质的能力强，能在较深的器件体内起作用，故适用于大功率器件的辐射预筛选。

   3)选择合适的预辐射剂量。该剂量既能引起器件参数发生明显变化，又不会造成器件较大损伤。一般而言，中子辐尉条件为：中子通量5 X l012～4×l015 /Cl:ll2，中子能量E≥0. lMeV；7射线条件为：7剂量(2～3×lOr )rad(Si)。

   4)选择最佳的退火温度和退火时间，使器件尽可能地恢复到辐照前的特性。通常成品器件的退火温度范围为120～180℃，未封装芯片的退火温度范围为200～400℃。

   5)辐射预筛选方法，器件制造厂家可以采用，器件用户也可以采用。器件制造厂家的辐射预筛选可直接用管芯进行，这样有利于降低筛选成本。

   6)通过适度辐射进行筛选，毕竟带有一定程度的破坏性，所以近年来已开始研究完全非破坏性的辐射预筛选的新方法。初步的研究结果表明，通过测量双极型晶体管在反偏雪崩状态下的等离子体噪声或MOS器件的l/f噪声，可以不经辐射对这些器件的抗辐射能力做出评估。