在未来，GaAs器件及电路和以绝缘体为衬底的OPA2336PAG4电路是最有发展前途的抗辐射器件。

   电子元器件的抗中子辐射能力通常用中子通量（也称中子剂量）来表征，OPA2336PAG4它定义为单位面积物质允许通过的中子数，单位为中子数／cnl2。电离辐射可分为稳态辐射和瞬态辐射两。器件抗稳态电离辐射的能力用总剂量来表征，它定义为单位质量的指定材料允许吸收的辐射能量，单位为rad（材料）或Gy(材料)，lrad= 10 -15J（焦耳），lGy=lOOrad。器件抗瞬态电离辐射的能力则用剂量率来表征，它定义为单位时间内指定材料所吸收的能量，单位为rad（材料）／s或Gy(材料)／s。

   在线路设计中，适当提高辐射敏感参数的设计容差，可使器件在较高的辐照水平下正常工作。在双极型电路设计中，应注意提高电流放大系数九FE的设计裕量，并且使双极型晶体管的直流工作点选择在电流放大系数矗，。随集极电流变化的峰值附近。这是因为晶体管在大电流下比在小电流下工作更耐辐射。

   减少电路对器件的辐射敏感参数的依赖性

   双极型晶体管的辐射敏感参数主要是电流增益和存储时间，MOS器件的辐射敏感参数主要是阈值电压。具体方法可以因电路制宜，灵活运用。例如，引入较强的负反馈和适当增加电路的工作电流，特别是饱和晶体管的基极驱动电流，以抵消辐射引起的电路增益衰减和饱和电压增大的影响。通过逻辑设计，使电路中大多数器件在辐射期间处于耐辐射的饱和导通状态，至少处于较强的电流注入状态，以减轻中子辐射损伤。在TTL电路的设计中，电路的设计应使其输出负载尽量轻，尽量减少扇出数和扇出电流，以减少对TTL电路输出晶体管的增益要求．从而提高电路抗中子辐射的能力。