·最大反向工作电压V Rm，该参数HCPL-7840-000E表示瞬变电压抑制二极管的最HCPL-7840-000E大允许直流工作电 压。在此电压下，该二极管是不导通的。使用时，应使V Rm。。不低于被保护器件或线路的正常工作电压。

  ·最大钳位电压V Cm。。，该参数规定当峰值脉冲电流(持续时间通常为Ims)流经瞬变 电压抑制二极管时，在其两端出现的最大压降。它实际上是通过的浪涌电压的最 高值。使用时，应使V。。。。不高于被保护器件的最大允许安全电压。例如，若常规CMOS电路的电源电压是3～18V，击穿电压为22V左右，则为了保证CMOS电路可靠工作，应选用V Cma。为18～20V的瞬变电压抑制二极管。

  ·最大峰值脉冲电流IPmax，该参数规定瞬变电压抑制二极管允许通过的最大脉冲电 流（8/20FLs或lO／lOOOtLs方波）。它与最大钳位电压VCmax的乘积，就足瞬态脉冲功率的最大值。使用时，应使瞬变电压抑制二极管的额定瞬态脉冲功率PP大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。

  ·击穿电压V。R，是加到瞬变电压抑制二极管两端的反向电压，在此瞬间，二极管成为低电阻状态，表示TVS器件已经导通。

  ·稳态功率P。，TVS器件作为稳压二极管使用时的功率。

  ·极间电容C．，电极间寄生电容，单向TVS器件比双向小，功率越大的TVS器件，电容越大。