互连布线因电迁移而产生小丘堆积，LC7060引起相邻两条互连线短路，这在微波器件或VLSI中尤为多见。铝在发射极末端堆积，可引起E-B结短路。多层布线的上下层铝条间到铝表面出现许多小丘、晶须或皱纹等，这就是铝表面的再构。再构现象会导致铝膜 电阻增大或器件内部出现瞬间短路，也可引起某些地方电流密度增大，从而加速电迁移的发生。

   铝的再构是由其承受的热应力引起的，铝层厚度约llum，比其衬底硅片(200ljLm)要薄得多，而铝的线热膨胀系数(23.6 X 10-6/℃)比硅（3.3×10-6/℃）和二氧化硅(0.5×10-6／℃)的都大，因此器件在高温时，铝膜将受到压应力，而冷却时又受到张应力。在热

循环过程中，这种热应力变化使铝表面产生小丘、晶须、空洞或皱纹。因此热循环的温度差越大，铝膜所受的应力也越大，再构现象也越严重。在铝中掺铜，增大铝条晶粒尺寸以及覆盖Si02等介质膜，可使铝的再构现象减少甚至避免，提高器件抗热循环能力。