本章主要阐述了红外敏感元件及其探测器方面的研究工作。主要介绍热探测器的基本理论及薄膜型探测器方面的探索性的研究工作， RA8806以及晶体薄片减薄工艺、红外探测器敏感元件制备及封装与测试技术的具体研究工作，主要有以下几个方面：

   (1)系统地阐述了热探测器几个相关的重要参数的基本概念及关系，具体包括探测率、响应率、光谱响应、响应时间等参数。

   (2)论述了热探测器的基本原理，建立了薄膜型探测器的基本模型，讨论了薄膜探测器的热学模型及各层组成关系的相互影响，分析了不同基底厚度下的电流响应与调制频率之间的关系、基底厚度与电流响应之间的关系及薄膜厚度对电流响应的影响。

   (3)探讨并建立了基于晶体薄片式探测器的热学模型，通过理论分析与计算，得出了探测器的最大的热响应和电压响应在调制频率1~ 10Hz范围内，同时也为后续章节阐述的气体传感器的光源调制频率选择在3Hz左右最合适提供了理论分析依据。

   (4)阐述了热探测器制备的一些基本工艺步骤，提出了铣磨键合一减薄工艺方法实现晶体薄片的减薄，探讨了探测器的敏感元件制备工艺流程，对于敏感元件的信号初级处理与分析，以及滤光片的性能、选择原则与作用作了详细的分析与探讨。

   (5)阐述了探测器的集成封装技术和方法，并进行了相关的试验测试，试验测试与数据分析表明探测器在1~ 10Hz范围具有大的探测率和电压响应，与理论分析计算一致。