采用硅基底微桥结构作薄膜敏感元件的基底，在工艺及理论上都是切实可行的， CNB1002002AU在许多国内外研究工作的总结上，选取了一种较好的薄膜材料。通过实验，最终发现PT/PZT~ PZT/PT结构的多层薄膜具有最好的性能，因此，重点讲解在硅基底微桥结构上薄膜的制备。

   为了获得高的探测灵敏度，制备的热释电薄膜必须尽可能满足低介电损耗、合适的介电常数以及较大的热释电系数。在制作红外探测器器件时，为了减小热损耗、提高探测率，在薄膜写基底之间应该选择合适的热隔离层，在硅基底薄膜的敏感元件处制作成微桥结构。本书中，设计的微桥结构如图3-lOa所示．Si3N。/S102薄膜层被制作在硅基底上，实现减小热损耗的目的。在许多实验研究过程中表明，环境温度的改变以及外界阳光会对热释电探测器的输出信号带来一些干扰因素。因此，采用如图3-lOb所示的双元件结构，这两个元件被串联连接，它能够抑制一些共模干扰信号，如由PI'/PZT~PZT/PT多层薄膜的压电性能，通过机械振动产生的加速度信号，而通过采用双元结构串联，两元件的直接感应极化是相反的，被相互抵消。基于这样的设计思想，环境温度的改变以及外界阳光所带来的影响也被相互抵消。实验、理论及许多研究工作[77.79]证明，双元串联结构是一种有效提高灵敏度的方法。