微光夜视技术从20世纪30年代开始研究以来，由于社会需求特别是军事需求的推动而得到了非常迅猛的发展，并以其核心器件光电阴极、电子光学系统、AN7312电子倍增器件等采用新原理、新技术、新材料而成为划分各代微光夜视技术的主要标志。

   像增强器技术的不断改进，大致经历了5个主要的技术发展阶段。

     第一代像增强器。它以使用S20的碱光电阴极，光纤面板耦合传像，同心球电子光学系统的三级缀联式像增强器为主要标志。这一代夜视仪器的主要缺点是像畸变大(15%~25 010)，抗强光能力差，瞄准精度低（约1.Omrad）。

   第二代像增强器。它以采用微通道板( Mcp)新技术及亮度自控装置(ABC)的像增强器为主要特色，提高了像增强器的阴极灵敏度，像畸变减小到20/0 ~3%，有较高的瞄准精度(0. 25 mrad)，但噪声较大，影响夜视观察效果。

   第三代像增强器。它以采用高灵敏度负电子亲和势光电阴极GaAs和双冷锢封近贴管型的像增强器为代表，将阴极灵敏度提高到1400 pLa/lm，分辨率达到501p/mm，视距提高了大约三倍。

   超二代微光夜视技术是第四个发展阶段的标志。这个发展阶段主要借鉴了三代微光像增强器先进和成熟的光电发射技术和晶体生长理论，仍然采用多碱阴极（非GaAs），从而使阴极灵敏度提高到600p,a/lm~7001ia/lm。视距比二代夜视技术提高了300/0~

50%。当然与三代微光技术相比，还是有一定的差距。

   第四代像增强器是像增强器发展的第五个阶段。它将光电阴极的波长响应延伸到近红外区（0.9 p~m~1.6ym）或远红外区（8pdm~12 y,m），但是仍然采用光电一电光转换、綮焦和像增强技术。这一代微光技术的研制成功将会大大加强微光夜视技术的应用。