光电池是一个P-N结，根据制AD648CQ结材料的不同，光电池有硒光电池、硅光电池、砷化稼光电池和锗光电池4种，本节主要介绍测量用硅光电池的工作原理、特性及应用。

   按照基本材料不同，硅光电池可分为2DR型及2CR型两种。2DR型光电池是以P型硅为基片。基片上扩散磷形成N型薄膜，构成P-N结，受光面是N型层。2CR型是在N型硅片上扩散硼，形成薄P型层，构成P-N结，受光面为P型层。

   从晶体管理论可知，当把N型半导体和P型半导体结合在一起时，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴就会互相扩散，结果在PN区交界面附近形成一个很薄的空间电荷区，产生如图4 - 17(b)所示的内电场，方向由N区指P区。当光线照射P-N结时，P-N绪将吸收入射光子。如果光子能量超过半导体材料的禁带宽度，则由半导体能带理论可知，在P-N结附近会产生电子和空穴。在内电场的作用下，空穴移向P区，电子移向N区，移动的结果，在N区聚集大量的电子而带上负电，在P区聚集大量的空穴而带上正电。于是在P区和N区之间产生了电势，成为光生电动势。如果用导线和电阻把N区和P区连接起来，回路中就会有光电流，流过，电流方向是由P区流向N区，这就是光电池受光照时产生光生电动势和光电流的基本原理。