在反激式开关电源中，A023000AR由于变压器的次级绕组与初级绕组之间的耦合不可能做到绝对的紧密，它们之间会存在一定的漏感（漏磁产生的自感），当MOS-FET由导通变为截止时，这个漏感就会在初级绕组上产生很高的尖峰电压，与感应电压和电源的直流输入电压叠加，将在MOSFET的漏极产生一个极高的电压，为此，必须增加漏极钳位保护电路，对尖峰电压迸行钳位或吸收，以保护

MOSFET不被击穿。典型的漏极电压波形如图3-24所示，图中Vi。为输入直流电压，Vo，为感应电压（即反射电压），Vlk为漏感产生的尖峰电压。

   漏极钳位保护电路主要有以下4种设计方案，如图3-25所示。

   图3-25(a)所示电路是利用瞬态电压抑制器TVS (P6KE200)和阻塞二极管( UF4005)组成的钳位电路，图中Np、N。和NB分别代表一次绕组、二次绕组和偏置绕组。MOSFET导通时，由于阻塞二极管反偏，钳位保护电路截止，电流流经一次绕组，感应电压上正下负；当MOSFET断开时，一次绕组产生的电压尖峰极性反转为下正上负，此时，阻塞二极管正偏导通，TVS相当于稳压二极管反向击穿，图3-24中的Vlk被钳位于200V。

   图3-25(b)所示电路是一种由R、C、VD组成的低成本的阻容吸收钳位电路。利用电容的缓冲、电阻的耗能把尖峰的能量逐渐消耗掉，达到漏极的钳位保护作用。

   图3-25(c)和(d)所示电路是由阻容吸收元件、TVS和阻塞二极管构成的高性能吸收钳位电路，既能发挥TVS的响应速度快、可承受瞬态高能量脉冲的优点，又有R、C吸收的作用，降低TVS的应力。