光敏电阻基于内光电效应，是利用HX8851-E02MDBG-T半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光强弱而改变的电阻器。入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。在黑暗条件下，它的阻值（暗阻）可达1～10M\Q，在强光条件(如lOOlx)下，它的阻值（亮阻）仅有几百至数千欧姆。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光(0. 4～0. 76tlm)的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。

   用于制造光敏电阻的材料主要是金属硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的密封管壳里就构成了光敏电阻。应避免受潮影响其灵敏度。

   光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可加交流电压。设计光控电路时，使用LED灯珠作为被控制光源，简化后的照明器设计如图1-22所示，包括了构建单片机的最小系统及简单光控制系统，R2是光敏电阻，根据光敏电阻输入P20端口的电压高低，经单片机处理后，输出PO口逻辑值，如果输出高电平（逻辑值为1）则点亮LED灯珠。方案设计需要单片机开发环境，可参阅相关韦籍。