gbdriver ra2系列采用了一种独创的静态负载平衡算法 (static wear leveling algorithm)，使每个存储块的擦写次数更加平均。这样就最大限度地延长了nand闪存的擦写寿命。

smart（自我监测、分析和报告技术）数据确定了每个存储块的擦写次数，使闪存的寿命量化管理更加便利。

该控制器还具有使用aes 128bit2加密算法的自动加密功能。通过加密nand闪存中的数据来防范数据窜改和泄露，提供了强大的安全保护。

tdk将配备有gbdriver rs2控制器的工业sata ii固态硬盘(ssd) 。

max4885e是仅有的一款能够提供完整vga方案的开关，可以对r、g、b、ddc和h/v信号进行切换及电平转换。器件提供现有方案2倍的带宽，并具有扩展的±15kv (人体模式)和±8kv (接触放电) esd保护。器件高度的集成特性极大地缩短了设计时间，节省了电路板空间及系统成本，是笔记本电脑、服务器和消费类视频应用的理想选择。max4885e采用2.0v至5.0v单电源供电，工作在-40°c至+85°c扩展级温度范围。

22纳米节点上引进了其finfet，并将其用于第三代酷睿处理器的生产，从那时起，该晶体管架构一直是摩尔定律的主力。使用finfet，我们还可以在更低的电压下运行，并且仍然具有更少的泄漏，在与上一代平面架构相同的性能水平下将功耗降低了约50%。

finfet的切换速度也更快，性能提升了37%。而且由于“fin”的两个垂直侧都发生了传导，因此与仅沿一个表面传导的平面器件相比，该器件可以通过给定的硅区域驱动更多的电流。

rds(on)的20v 2mmx2mmx0.55mm 薄型microfet mosfet器件.fdma6023pzt是采用紧凑、薄型封装的双p沟道mosfet,能够满足便携设计的严苛要求,采用延长电池寿命的技术,实现更薄、更小的应用。

fdma6023pzt采用超薄的微型引线框架的microfet封装，相比传统的mosfet，它具有出色的热阻，能提供超卓的功率耗散，并可减少传导损耗。该器件采用性能先进的powertrench®mosfet工艺技术，获得极低的rds(on) 值,栅级电荷 (qg) 和米勒电荷 (qgd) — 这些都显箸减少传导损耗和提升开关性能。