ZXTP2008GTA 全国供应商、价格、PDF资料

ZXTP2008GTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP LO SAT 30V 5.5A SOT223

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：5.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：210mV @ 500mA，5.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，1V

功率_最大：3W

频率_转换：110MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：带卷 (TR)

ZXTP2008GTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP LO SAT 30V 5.5A SOT223

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：5.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：210mV @ 500mA，5.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，1V

功率_最大：3W

频率_转换：110MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：剪切带 (CT)

ZXTP2008GTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP LO SAT 30V 5.5A SOT223

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：5.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：210mV @ 500mA，5.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，1V

功率_最大：3W

频率_转换：110MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：Digi-Reel®