ZXTEM322TA 全国供应商、价格、PDF资料

ZXTEM322TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN LO SAT 80V 3-MLP

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：325mV @ 300mA，3.5A

电流_集电极截止（最大）：25nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 200mA，2V

功率_最大：3W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-MLP

供应商设备封装：3-MLP/DFN（2x2）

包装：带卷 (TR)

ZXTEM322TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN LO SAT 80V 3-MLP

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：325mV @ 300mA，3.5A

电流_集电极截止（最大）：25nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 200mA，2V

功率_最大：3W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-MLP

供应商设备封装：3-MLP/DFN（2x2）

包装：Digi-Reel®

ZXTEM322TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN LO SAT 80V 3-MLP

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：325mV @ 300mA，3.5A

电流_集电极截止（最大）：25nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 200mA，2V

功率_最大：3W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-MLP

供应商设备封装：3-MLP/DFN（2x2）

包装：剪切带 (CT)