RN1112FS(TPL3)详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：50mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 频率_转换：-
- 功率_最大：50mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：fSM（1.0x0.6）
- 包装：带卷 (TR)
RN1112MFV(TPL3)详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-723
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 频率_转换：-
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-723
- 供应商设备封装：VESM（1.2x1.2）
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 25.5K OHM 1/8W .1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 48.7 OHM 1/8W .1% 0805
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 97.6K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Toshiba 3-SMD，扁平引线 TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES TF 1/3W 1.37K OHM 1% 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603（1608 公制） RES 6.34K OHM 1/16W .5% 0603 SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MO 2W 240 OHM 5% AXIAL
- 可配置开关元件，主体 TE Connectivity 轴向 SWITCH PB 6A MOM BLUE PANEL
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 25.5K OHM 1/8W .5% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 48.7 OHM 1/8W .5% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES TF 1/3W 1.65K OHM 1% 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603（1608 公制） RES 64.9K OHM 1/16W .5% 0603
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES METAL OX 2W 27 OHM 5% AXL
- 变阻器 Vishay Sfernice 轴向 RHEOSTAT 100 OHM 12W 10% WW
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603（1608 公制） RES 665 OHM 1/16W .5% 0603
0755-82533156 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
0755-83015506 
171-4729-9698 
0755-/8321846 
755-83210909 
15026993318 / 
15821228847 / 
010-62962871、 
18927479189 
