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PSMN020-100YS,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：43A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 50V; 功率_最大：106W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8; 包装：Digi-Reel®

PSMN020-100YS,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：43A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 50V; 功率_最大：106W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8; 包装：剪切带 (CT)

PSMN020-100YS,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：43A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 50V; 功率_最大：106W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8; 包装：带卷 (TR)

PSMN020-150W,127详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 73A SOT429; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：73A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：227nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9537pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3; 供应商设备封装：TO-247-3; 包装：管件

PSMN020-30MLC,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：31.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.1 毫欧 @ 5A, 10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.95V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 15V; 功率_最大：33W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT1210，8-LFPAK33（5 引线）; 供应商设备封装：LFPAK33; 包装：剪切带 (CT)

PSMN020-30MLC,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：31.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.1 毫欧 @ 5A, 10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.95V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 15V; 功率_最大：33W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT1210，8-LFPAK33（5 引线）; 供应商设备封装：LFPAK33; 包装：Digi-Reel®

QAS-5-100/35-01-QB-10
热缩管 Qualtek 5322 J 形引线 HEATSHRINK 100/35MM BLACK
PS2501L-1-F3-L-A
光隔离器 - 晶体管，光电输出 CEL 4-SMD，鸥翼型 PHOTOCOUPLER 1CH TRANS OUT 4SMD
LCMXO2-1200ZE-2TG100CR1
嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件） Lattice Semiconductor Corporation 100-LQFP IC PLC 1280LUTS 80I/O 100-TQFP
PVG5H201C03R00
微調器 Murata Electronics North America 100-LQFP TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD
PSMN017-30LL,115
FET - 单 NXP Semiconductors 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH QFN3333
PWR5322WR500JE
芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 5322 J 形引线 RES 0.50 OHM 5% 3W WW 5322 SMD
P51-15-A-W-P-5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 15PSI 1/8-27NPT 1-5V
QAS-5-100/35-01-QB-10
热缩管 Qualtek 不锈钢 HEATSHRINK 100/35MM BLACK
PS2501L-1-F3-L-A
光隔离器 - 晶体管，光电输出 CEL 4-SMD，鸥翼型 PHOTOCOUPLER 1CH TRANS OUT 4SMD
PVG5H203C03R00
微調器 Murata Electronics North America SOT1210，8-LFPAK33（5 引线） TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD
P51-15-A-Y-I12-4.5OVP-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 15PSI 7/16-20-2B .5-4.5V
PWRA440A
电流/电压监视器 Crouzet USA CONTROL RELAY PHASE 3X440VAC
QAT-100/38-QB48IN-5
热缩管 Qualtek HEATSHRINK 100/38MM-48"
PS2501L-1-M-A
光隔离器 - 晶体管，光电输出 CEL 4-SMD，鸥翼型 PHOTOCOUPLER 1CH TRANS OUT SM
PSMN039-100YS,115
FET - 单 NXP Semiconductors SC-100，SOT-669，4-LFPAK MOSFET N-CH LFPAK

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