PSMN010-55D 全国供应商、价格、PDF资料
PSMN010-55D,118详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A SOT-428
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 20V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 7/16-20-2B 1-5V
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 15PSI 1/4-18NPT 4-20MA
- 通孔电阻器 Bourns Inc. 径向 RES .02 OHM 3W 1% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件） Lattice Semiconductor Corporation 144-LQFP IC PLD 1200LUTS 113I/O 144-TQFP
- 微調器 Murata Electronics North America 144-LQFP TRIMMER 2K OHM 0.25W SMD
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 1/8-27NPT 4-20MA
- 功率驱动器 Powerex Inc PCB 模块 MOD IPM 1200V 10A DIP
- 通孔电阻器 Bourns Inc. 径向 RES .04 OHM 3W 1% RADIAL
- 按钮 Electroswitch TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 7/16-20-2B .5-4.5V
- 嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件） Lattice Semiconductor Corporation 100-LQFP IC FPGA 1.2KLUTS 100TQFP
- 微調器 Murata Electronics North America 100-LQFP TRIMMER 200K OHM 0.25W SMD
- 通孔电阻器 Bourns Inc. 径向 RES .02 OHM 5W 1% RADIAL
- 压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 15PSI 9/16-18 UNF 4-20MA
0755-82569753 
755-83252273 
19520735817/1 
0755-23306107 
13711580601 
13691818754 
13910052844（微 
0755-82574045 
0755-22929859 
15026993318 / 
0755-83015506 
15821228847 / 
0755-82524647 
0755-83223003 
15112667855 
