PMBT2222,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 30V 600MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：250MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：Digi-Reel®
PMBT2222,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 30V 600MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：250MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
PMBT2222,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 30V 600MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：250MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
PMBT2222,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 30V 600MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：250MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
PMBT2222,235详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 30V 600MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：250MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
PMBT2222A,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN SW 600MA 40V SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：300MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
- 存储器 Renesas Electronics America 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 8K 400KHZ 8TSSOP
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP 40V 100MA SOT23
- DC DC Converters Texas Instruments 3-SIP 模块 REGULTR -5.5V 1.0A 3 PIN CU HS
- FFC，FPC（扁平柔性） Parlex Corp 3-SIP 模块 CABLE 9COND 25’.100 27AWG FLEX
- AC DC 桌面、壁式变压器 PHIHONG USA 3-SIP 模块 ADAPTER WALL R-SERIES 15W 15V
- 电源输入 - 模块 TE Connectivity 3-SIP 模块 CONN POWER ENTRY W/FILTER 10AMP
- 嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC MCU OTP 1KX12 W/EE 8DIP
- 功率驱动器 Powerex Inc 模块 MOD IPM 6PAC 600V 300A
- 存储器 Renesas Electronics America 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 16K 400KHZ 8TSSOP
- FFC，FPC（扁平柔性） Parlex Corp TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CABLE 10COND 100’.100 27AWG FLEX
- AC DC 桌面、壁式变压器 PHIHONG USA TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 ADAPTER WALL R-SERIES 15W 15V
- 陶瓷 Vishay Beyschlag 轴向 CAP CER 150PF 5KV 5% CHASSIS
- 嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 8-CDIP（0.300"，7.62mm）窗口 IC MCU EPROM 1KX14 A/D&EE 8CDIP
- 功率驱动器 Powerex Inc 模块 MOD IPM DUAL 1200V 300A
- 存储器 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 64K 400KHZ 8SOP
0755-82569753 
0755-８２７８９２９６ 
0755-83202411 
0755-88917652 
18927479189 
028-87781882 
18926544209/1 
755-83241160（ 
0755-82525087 
13316817713 
0755-82522939 
010-62962871、 
0755-83587431 
18026926850/0 
0755-83244680 
