

NTJD4105CT1G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫欧 @ 630mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
NTJD4105CT1G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫欧 @ 630mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:Digi-Reel®
NTJD4105CT1G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫欧 @ 630mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
NTJD4105CT2详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫欧 @ 630mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
NTJD4105CT2G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫欧 @ 630mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
NTJD4105CT4详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:630mA,775mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:375 毫欧 @ 630mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:46pF @ 20V
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 阵列 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 TT Electronics/Optek Technology T-1 PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP GP R-R 1MHZ 14TSSOP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 10NS 208-BGA
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK MULT PLL HI DRV 16-TSSOP
- 风扇 - DC Orion Fans 轴向 FAN 120X32MM 12V ALARM
- 图像,相机 ON Semiconductor 52-PLCC IC IMAGE SENSOR 2.3MP 52LLC
- 配件 NXP Semiconductors MODULE DIMM LPC2478 ARM7
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP GP R-R 1MHZ 14TSSOP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 5NS 208-BGA
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK MULT PLL HI DRV 16-TSSOP
- 图像,相机 ON Semiconductor 68-QFN IC IMAGE SENSOR 5.3MP 68LLC
- 风扇 - DC Orion Fans 轴向 FAN 120X32MM 12V 93CFM TACH
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 TT Electronics/Optek Technology 2-SMD,Z形弯曲d PHOTOTRANSISTOR NPN SND REV GULL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP GP R-R 1MHZ 14TSSOP