NTHD4401P的供应信息|PDF资料|求购NTHD4401P上51电子网

NTHD4401PT1详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 2.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

NTHD4401PT1G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 2.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

NTHD4401PT1G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 2.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

NTHD4401PT3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CHAN DUAL 20V CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 2.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

NTHD4401PT3G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 2.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

NTHD4401PT3G详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 2.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

MS3102R20-3SW
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS BOX MNT W/SCKT
MS3101E20-11S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 13 POS FREE HNG W/SCKT
NTHD3100CT1G
FET - 阵列 ON Semiconductor 8-SMD，扁平引线 MOSFET N+P 20V 2.9A CHIPFET
H5CX-ASD AC24/DC12-24
延时型 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY TIMER DGTL TRANS 12-24VDC
MS27474E16A8SA
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS JAM NUT W/SCKT
HCPL-900J
数字隔离器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） ISOLATOR DGTL 4CH 100MBD 16-SOIC
MS3106F24-5PY
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS INLINE W/PINS
MS3102R20-3SX
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/SKTS
MS3102E32-7PW
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 35 POS BOX MNT W/PINS
H5CX-BWSD
延时型 Omron Electronics Inc-IA Div TIMER DGTL DUAL 99KHRS 12-24VDC
MS27474E16B35P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
MS3106F24-5PZ
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS INLINE W/PINS
HCPL-900J-500
数字隔离器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） ISOLATOR DGTL 4CH 100MBD 16-SOIC
MS3102E36-10PY
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 48POS BOX MNT W/PINS
MS3102R20-3SZ
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/SKTS

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