NTF3055L175 全国供应商、价格、PDF资料
NTF3055L175T1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
NTF3055L175T1G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：Digi-Reel®
NTF3055L175T1G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
NTF3055L175T1G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：剪切带 (CT)
NTF3055L175T3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
NTF3055L175T3G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AB，SMC TRANSIL 3000W 21V BIDIRECT SMC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP DIFF 100MHZ SGL 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 470K OHM 1/4W 0.1% 1206
- 配件 Panduit Corp CABLE TAG S LAM GRY 3X1.31" 25PK
- FET - 单 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 1.15K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 47.0 OHM 1/4W 0.1% 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP DIFF 100MHZ SGL 8MSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 1.21K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 48.7 OHM 1/4W 0.1% 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP DIFF 100MHZ SGL 8MSOP
- 配件 Panduit Corp CABLE TAG S LAM ORN 3X1.31" 25PK
- FET - 单 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 1.24K OHM 1/3W 0.1% 1210
0755-82569753 
0755-83798683 
0512-67241533 
0755-8322-538 
0755-83242658 
13528893675 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-82563615 
0755- 8251939 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
