NTD3055L170 全国供应商、价格、PDF资料
NTD3055L170详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 4.5A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：管件
NTD3055L170-001详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 4.5A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
NTD3055L170-1G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 4.5A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
NTD3055L170G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 4.5A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：管件
NTD3055L170T4G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 4.5A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：剪切带 (CT)
NTD3055L170T4G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 4.5A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：带卷 (TR)
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 2048X18 SYNC 10NS 64TQFP
- 风扇 - AC Orion Fans 轴向 FAN AC 92X26MM 115V 35CFM
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 5.6M OHM .5W CARB COMP
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 5.6 OHM 1W CARB COMP
- 评估板 - 运算放大器 Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） EVAL MOD FOR OPA2836 VSSOP/MSOP
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR POWER 330UH 1210
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC CLK FANOUT/BUFF ZD 28SSOP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 2048X18 SYNC 15NS 64TQFP
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 5.6M OHM .5W CARB COMP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP VFB 1.65GHZ DUAL 8SOIC
- 风扇 - AC Orion Fans 轴向 FAN 120VAC 172X150X50.8MM 180CFM
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC CLK FANOUT/BUFF ZD 28SSOP
- 固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR POWER 6.8UH 1210
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 2048X18 SYNC 15NS 64TQFP
0755-83202411 
0755-82533156 
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-18503085 
0755-22655674 
0755-82522939 
0755-23915992 
0755-83798683 
0512-67241533 
010-62962871、 
18927479189 
13410941925 
0755-83242658 
