NTD2955-1G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V
- 功率_最大：55W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
NTD2955G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V
- 功率_最大：55W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：管件
NTD2955PT4G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V
- 功率_最大：55W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：Digi-Reel®
NTD2955PT4G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V
- 功率_最大：55W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：带卷 (TR)
NTD2955PT4G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V
- 功率_最大：55W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：剪切带 (CT)
NTD2955T4G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V
- 功率_最大：55W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：剪切带 (CT)
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 8SOIC
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 24POS SNGL HORZ
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 24.0K OHM .40W 0.1% 2010
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 25POS SNGL VERT
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BST FLYBK CM 14SOIC
- 线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SDTV VIDEO AMP 3CH LP 8-SOIC
- 数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC ADC 10BIT 400KSPS 8CH 20TSSOP
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 52POS DUAL HORZ
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 54POS DUAL HORZ
- 线性 - 视频处理 Texas Instruments 9-UFBGA，DSBGA IC VIDEO LINE DVR 3CH 9-DSBGA
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 8SOIC
- 数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 20-LCC（J 形引线） IC 10BIT 32KSPS ADC S/O 20-PLCC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 24.3K OHM 0.4W 0.1% 2010
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 56POS DUAL VERT
755-83252273 
0755-83202411 
15914072177 
0755-83679110 
15899765957 1 
0755-83798683 
0512-67241533 
0755-23991909 
010-62962871、 
0755-83223648 
0755-82574045 
13537790913 
0755-28227524 
0755-82578309 
0755-82561519 
0755-88917652 
