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NSBC143EDXV6T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：4.7k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

NSBC143EDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：4.7k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

NSBC143EDXV6T1供应商

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NSBC143EDXV6T1 深圳市世品佳电子有限公司 0755-/8321846
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NSBC143EDXV6T1G 深圳山琅电子科技有限公司 755-83229865
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NSBC143EDXV6T1 北京显周科技有限公司 13910052844（微
NSBC143EDXV6T1G 北京首天伟业科技有限公司 010-62962871、
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晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
NOJF157M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 150UF 6.3V 2312
MGA-68563-TR1G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD SOT-363
NP52N06SLG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 52A TO252
MIC2198YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF? IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
HMK432B7225KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
NOJC107M002SWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312
P1169.124NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 120UH SMD
MGA-68563-TR2G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC RF AMP LNA GAAS MMIC SOT-363
NP55N055SUG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
MIC2199YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF? IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
NOJC227M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2312
HMK432B7474KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1812
MGA-71543-TR2G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. SC-82A，SOT-343 IC AMP MMIC LNA GAAS 3V SOT-343
P1169.223NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 22UH SMD

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