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NSBC123JPDXV6T5G 全国供应商、价格、PDF资料

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NSBC123JPDXV6T5G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k
电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
电流_集电极截止（最大）：500nA
频率_转换：-
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：SOT-563
包装：带卷 (TR)

NSBC123JPDXV6T5G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k
电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
电流_集电极截止（最大）：500nA
频率_转换：-
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：SOT-563
包装：剪切带 (CT)

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