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NSBA143TDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

NSBA143TDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

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