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库存索引200
» 型号"NSBA123JDXV6T1"的供应信息
NSBA123JDXV6T1 全国供应商、价格、PDF资料
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NSBA123JDXV6T1详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:带卷 (TR)
NSBA123JDXV6T1详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:剪切带 (CT)
NSBA123JDXV6T1G详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:剪切带 (CT)
NSBA123JDXV6T1G详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
电阻器_发射极333R2444(欧):47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:带卷 (TR)
NSBA123JDXV6T1供应商
NSBA123JDXV6T1
深圳市恒佳微电子有限公司
0755-82533156
NSBA123JDXV6T1
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
NSBA123JDXV6T1
深圳市富乐亚科技有限公司
0755-18503085
NSBA123JDXV6T1G
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
NSBA123JDXV6T1
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
NSBA123JDXV6T1G
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
NSBA123JDXV6T1G
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
NSBA123JDXV6T1
深圳市世品佳电子有限公司
0755-/8321846
NSBA123JDXV6T1
深圳市毅创腾电子科技有限公司
755-83616256
NSBA123JDXV6T1G
深圳市鸿鑫格电子科技有限公司
18674491576
NSBA123JDXV6T1
深圳市毅创腾电子科技有限公司
755-83210909
NSBA123JDXV6T1G
上海熠富电子科技有限公司
15026993318 /
NSBA123JDXV6T1
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
NSBA123JDXV6T1G
上海熠富电子科技有限公司
15821228847 /
NSBA123JDXV6T1
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
NSBA123JDXV6T1
中科航芯(深圳)科技有限公司
18927479189
查看更多NSBA123JDXV6T1的供应商
IPB50CN10N G
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
NR6045T101M
固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR 100UH 800MA 20% SMD
OPMNGSA010
配件 Cooper Bussmann TO-18 小型 COVER PROTECTIVE 3POS OPM MODULE
NSBA114TDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
ON5154,127
RF FET NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET RF TO220AB TO220AB
MOC3083SR2VM
光隔离器 - 三端双向可控硅,SCR输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRIAC ZC 6-MDIP
OPB490N11
光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology 模块,预接线 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
OPF390D
光纤 - 发射器 - 离散式 TT Electronics/Optek Technology LED FIBER OPTC GAAIAS HS TO18 ST
IPB50N10S3L-16
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
ON5157,127
RF FET NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET RF TO220AB TO220AB
MOC3083SR2VM
光隔离器 - 三端双向可控硅,SCR输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRIAC ZC 6-MDIP
IPB600N25N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
OPB490P11Z
光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology 模块,预接线 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
OPF792
光学 - 光电检测器 - 光电二极管 TT Electronics/Optek Technology - PHOTODIODE PIN HS LOW CAP ST
NSBA123JDXV6T5G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
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