NP32N055SHE 全国供应商、价格、PDF资料
NP32N055SHE-E1-AY详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：1.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252（MP-3ZK）
- 包装：带卷 (TR)
- 氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 6.3V 2312
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
- 氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1206
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 2.4UH SMD
- RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD 8-TSLP
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- 氧化铌 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1210
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1210
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 27UH SMD
- RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC LNA ULTRA LOW NOISE ACT BIAS
- 氧化铌 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 4V 2917
0755-82563615 
0755-23919407 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-23613962 
0755-/8321846 
15026993318 / 
15821228847 / 
010-62962871、 
18927479189 
13910052844（微 
010-62962871、 
0755-22669259 
