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NOSC107M004R0150详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312; 系列：OxiCap® NOS; 制造商：AVX Corporation; 电容：100µF; 电压_额定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：150 毫欧; 电流_泄漏电流：8µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：2312（6032 公制）; 制造商尺寸代码：C; 高度_座高（最大）：0.110"（2.80mm）; 特点：低 ESR; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 包装：带卷 (TR)

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NOSA226M002R0900
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
NLCV32T-R47M-PFR
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
NLAST4051DR2
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NE3508M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
NLAST4051DR2
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
NE01-CCPC1-EL30
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
MT48V4M32LFF5-10:G
存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
MFR-25FRF-53K6
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 53.6KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2P88PD81K1N9LF
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT