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NOJW476M004RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：47µF; 电压_额定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：500 毫欧; 电流_泄漏电流：3.8µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：2312（6032 公制）; 制造商尺寸代码：W; 高度_座高（最大）：0.059"（1.50mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：带卷 (TR)

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NOJW476M004RWJ 深圳市灿亿佳电子科技有限公司 13424184668
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IDT72V2105L15PF8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SUPERSYNCII 15NS 64-TQFP
IDT49FCT3805QG8
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-QSOP
OD1238-48LLBXC5
风扇 - DC Orion Fans FAN 120X38MM 48V 130CFM PWM
NTMFS4827NET1G
FET - 单 ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
OMNISMART350HG
UPS系统 Tripp Lite 3-SIP UPS 330VA 4OUT 2/RJ11 HOSPGRADE
P51-500-A-S-I12-4.5OVP-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 500PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
OARSXPR005FLF
芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/IRC 带状，C 形弯曲 RES .005 OHM 5W 1% FLAT SMD
IDT49FCT3805SO8
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-SOIC
IDT72V2111L10PFG
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SS 512X9 10NS 64QFP
NTMFS4833NST3G
FET - 单 ON Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
OMNIVS1000
UPS系统 Tripp Lite 3-SIP UPS 1000VA 500W 120V 8OUT RJ45
P51-500-A-S-M12-4.5OVP-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 500PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
OARSXPR010FLF
芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/IRC 带状，C 形弯曲 RES .010 OHM 5W 1% FLAT SMD
IDT49FCT805APYGI
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 80MHZ 20-SSOP
IDT72V2113L10PF8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO SUPERSYNCII 10NS 80-TQFP

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