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NOJT106M010RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 10UF 10V 1210; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：10µF; 电压_额定：10V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：2.2 欧姆; 电流_泄漏电流：2µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：1210（3528 公制）; 制造商尺寸代码：T; 高度_座高（最大）：0.047"（1.20mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：Digi-Reel®

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NOJT106M010RWJ
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MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR
存储器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
NDS9407
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
NLAS4053DR2G
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC
NE01-CCPC1-EL30
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
MFR-25FRF-28R0
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