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IRF9Z24NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 7.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF9Z24NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 7.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF9Z24NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 7.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF9Z24NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 7.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9Z24NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 7.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9Z24NSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 7.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

LME49710HABD
评估板 - 运算放大器 Texas Instruments TO-99-8 金属罐 BOARD EVALUATION LME49710HA
K332J20C0GH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 100V 5% RADIAL
IRF9Z24NLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
ECS-360-S-20A-TR
晶体 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 36.000MHZ SERIES SMD
KTD251B155M55A0T00
陶瓷 United Chemi-Con 径向 CAP CER 1.5UF 250V 20% RADIAL
K271M15X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 270PF 50V 20% RADIAL
ECW-F6513RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
L4949ED-E
PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO 5V .1A 8SOIC
ECS-360-S-30B-TR
晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 36.000 MHZ SERIES SMD
K332J20C0GH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 100V 5% RADIAL
KTD500B105M32A0T00
陶瓷 United Chemi-Con 径向 CAP CER 1UF 50V 20% RADIAL
L4959
PMIC - 稳压器 - 专用型 STMicroelectronics Multiwatt-11（垂直，弯曲和错列引线） IC VREG MULTI AUDIO MULTIWATT11
ECW-F6513RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
LME49721MA/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC AMP AUDIO STER AB HIFI 8SOIC
ECS-360-S-33-TR
晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 36.000 MHZ SERIES SMD

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