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IRLZ24NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRLZ24NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRLZ24NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

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PMIC - 稳压器 - 线性 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IC REG LDO 12V 1A TO-220
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线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 Intersil 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC VIDEO DRIVER TRUE SGL 16-QSOP
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