IRLZ14详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：43W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRLZ14L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
IRLZ14PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：43W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRLZ14S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRLZ14SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRLZ14STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 6A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR DBL LOSCR 400V 95A ADD-A-PAK
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 6-UFDFN EVAL BOARD 1 FOR ISL9104IRUN
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
- PMIC - 电源管理 - 专用 Hittite Microwave Corporation 32-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR ACTIVE BIAS 32QFN
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC SWITCH QUAD SPST 16QFN
- 扁平带 3M 2520（6450 公制） CABLE 16COND RND SHIELD GRY 25’
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盘 IC CLK DIVIDER 16-QFN
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 8-VFDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 0.6A 8DFN
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
- 扁平带 3M 2520（6450 公制） CABLE 24COND RND SHIELD GRY 25’
- RF 其它 IC 和模块 Hittite Microwave Corporation 32-VFQFN 裸露焊盘 RF IF AGC 50MHZ - 800MHZ 32SMT
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 12-WFDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK BST SYNC 3.3V 12TDFN
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
0755-88917652 
0755-23613962 
0512-67241533 
0755-82780082 
0755-83286481 
0755-83663430 
0755-82710336 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
13711580601 
