

IRLR024Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
- 功率_最大:35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR024ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
- 功率_最大:35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR024ZTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
- 功率_最大:35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR024ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
- 功率_最大:35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRLR024ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
- 功率_最大:35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR024ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
- 功率_最大:35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) SIDAC SYM 3CHP 200V 100A MS013
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-DIP(0.600",15.24mm) IC VOICE REC/PLAY 150SEC 28-DIP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 57.2UH SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANSISTOR AMP NPN 300V HV TO-92
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS Intersil 12-VFDFN 裸露焊盘 EVALUATION BOARD FOR ISL8501
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) SIDAC SYM 3CHP 200V 250A MS-013
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 100UH SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS NPN 300V 500MA TO-92
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 EVAL BOARD FOR ISL8502
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) SIDACTOR 200V 200A PROT 6-SOICW