IRLR024Z详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V
- 功率_最大：35W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRLR024ZPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V
- 功率_最大：35W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRLR024ZTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V
- 功率_最大：35W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR024ZTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V
- 功率_最大：35W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
IRLR024ZTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V
- 功率_最大：35W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR024ZTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 9.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V
- 功率_最大：35W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDAC SYM 3CHP 200V 100A MS013
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-DIP（0.600"，15.24mm） IC VOICE REC/PLAY 150SEC 28-DIP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 57.2UH SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR AMP NPN 300V HV TO-92
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 12-VFDFN 裸露焊盘 EVALUATION BOARD FOR ISL8501
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDAC SYM 3CHP 200V 250A MS-013
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 100UH SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANS NPN 300V 500MA TO-92
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 EVAL BOARD FOR ISL8502
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDACTOR 200V 200A PROT 6-SOICW
0755-22655674 
0755-83258002 
0755-88291559 
0512-67241533 
0755-82561519 
0755-82561519 
075582788161 
0755-88917652 
0755-23607529 
755-83206150/ 
13510131896 
0755-82569753 
0755-82574045 
171-4729-9698 
0531-88891493 
